企业简介
旺宏电子股份有限公司 main business:Household appliances and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
welcome new and old customers to visit our company guidance, my company specific address is: 新竹科学工业园区力行路１６号.
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旺宏电子股份有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 10934884 |  |
HYBRIDFLASH | 2012-05-18 | 提供有关光罩的专业技术研究服务；提供有关集成电路的专业技术研究服务；提供有关计算机芯片的专业技术研究服务；提供有关电子电路的专业技术研究服务；为他人设计及开发光罩、集成电路、计算机芯片、电子电路之服务；计算机软件设计；计算机软件更新；计算机软件维护；计算机软件出租；计算机软件咨询；计算机系统分析；计算机硬件出租；计算机数据处理服务；关于设计、研发、组装、制造、测试光罩、集成电路、计算机芯片及电子电路之咨询顾问服务 | 查看详情 |
| 2 | 10774700 |  |
HYBRIDNVM | 2012-04-16 | 提供有关光罩的专业技术研究服务；提供有关集成电路的专业技术研究服务；提供有关计算机芯片的专业技术研究服务；提供有关电子电路的专业技术研究服务；计算机软件设计；计算机软件更新；计算机软件维护；计算机软件出租；计算机软件咨询；计算机系统分析；计算机硬件出租；研究和开发(替他人)；计算机程序和数据的数据转换(非有形转换)；技术项目研究 | 查看详情 |
| 3 | 10774701 |  |
HYBRIDNVM | 2012-04-16 | 晶圆代工服务；晶圆蚀刻处理服务；半导体封装处理服务；集成电路蚀刻服务；焊接；定做材料装配(替他人) | 查看详情 |
| 4 | 10934886 |  |
HYBRIDFLASH | 2012-05-18 | 集成电路；半导体计算机芯片；半导体记忆芯片；半导体芯片光罩；积体芯片光罩 | 查看详情 |
| 5 | 3092175 |  |
INTEGRATED SOLUTIONS PROVIDER | 2002-02-07 | 集成电路的加工和装配(替他人)；计算机芯片的加工和装配(替他人)；电子设备的加工和装配(替他人) | 查看详情 |
| 6 | 1159789 |  |
MXIC | 计算机程序编制；计算机软件设计；计算机软件更新；计算机硬件咨询；计算机软件出租 | 查看详情 | |
| 7 | 4042529 |  |
PHINES | 2004-04-28 | 集成电路；半导体芯片光罩；集成电路块光罩；半导体计算机芯片；半导体存储器芯片 | 查看详情 |
| 8 | 1197204 |  |
MXIC | 电导体，印刷电路，集成电路，集成电路板，半导体器件 | 查看详情 | |
| 9 | 1198489 |  |
MTP | 书籍，说明书，设计图，手册，项目手册，有关计算机设计、开发、制造的印刷出版物，有关计算机外围设备的印刷出版物，有关逻辑电路的印刷出版物，有关电子设备的印刷出版物 | 查看详情 | |
| 10 | 15279683 |  |
HYBRIDXFLASH | 2014-09-03 | 集成电路；半导体计算机芯片；积体芯片光罩；半导体芯片光罩；半导体记忆芯片； | 查看详情 |
| 11 | 1163880 |  |
旺宏 | 集成电路的加工与装配（代他人）；计算机集成电路块的加工与装配（代他人）；电子集成电路块的加工与装配（代他人） | 查看详情 | |
| 12 | 4042533 |  |
MACRONIX NBIT | 2004-04-28 | 集成电路；半导体芯片光罩；集成电路块光罩；半导体计算机芯片；半导体存储器芯片 | 查看详情 |
| 13 | 4042528 |  |
PHINES | 2004-04-28 | 集成电路加工或制作(替他人)；计算机芯片加工或制作(替他人)；电子设备加工或制作(替他人) | 查看详情 |
| 14 | 12174750 |  |
HYBRID FLASH | 2013-02-18 | 电脑系统分析服务;计算器软件维护、出租及咨询;计算机硬件出租;计算机硬件设计和开发咨询;技术研究;计算机系统设计; | 查看详情 |
| 15 | 4042532 |  |
MACRONIX NBIT | 2004-04-28 | 集成电路加工或制作(替他人)；计算机芯片加工或制作(替他人)；电子设备加工或制作(替他人) | 查看详情 |
| 16 | 1178455 |  |
旺宏 | 书籍；说明书；设计图；手册；项目手册；有关计算机设计、开发、制造的印刷出版物；有关计算机外围设备的印刷出版物；有关逻辑电路的印刷出版物；有关电子设备的印刷出版物 | 查看详情 | |
| 17 | 1189935 |  |
MTP EPROM | 集成电路的加工与装配（代他人）；计算机集成电路块的加工与装配（代他人）；电子集成电路块的加工与装配（代他人） | 查看详情 | |
| 18 | 1193969 |  |
MTP EPROM | 计算机程序编制，计算机软件设计，计算机软件更新，计算机硬件咨询，计算机软件出租 | 查看详情 | |
| 19 | 15279681 |  |
HYBRID FLASH | 2014-09-03 | 提供有关计算机芯片的专业技术研究服务；提供有关集成电路的专业技术研究服务；提供有关光罩的专业技术研究服务；提供有关电子电路的专业技术研究服务；计算机软件咨询；计算机系统分析；为他人设计及开发光罩、集成电路、计算机芯片、电子电路之服务；计算机数据处理服务；计算机软件出租；计算机软件维护； | 查看详情 |
| 20 | 1191884 |  |
MACRONIX | 集成电路的加工与装配；计算机集成电路块的加工与装配；电子集成电路块的加工与装配 | 查看详情 | |
| 21 | 1197203 |  |
旺宏 | 电导体，印刷电路，集成电路，集成电路板，半导体器件 | 查看详情 | |
| 22 | 10934885 |  |
HYBRIDFLASH | 2012-05-18 | 定做材料装配(替他人)；材料处理信息；研磨抛光；金属处理；焊接 | 查看详情 |
| 23 | 4042531 |  |
XTRAROM | 2004-04-28 | 集成电路；半导体芯片光罩；集成电路块光罩；半导体计算机芯片；半导体存储器芯片 | 查看详情 |
| 24 | 12174749 |  |
HYBRID FLASH | 2013-02-18 | 晶圆蚀刻处理服务;半导体封装处理服务;集成电路蚀刻服务;定做材料装配(替他人); | 查看详情 |
| 25 | 6910990 |  |
勤德 | 2008-08-21 | 太阳能蓄电池;发光二极管; | 查看详情 |
| 26 | 7179748 |  |
MXSMIO | 2009-01-22 | 集成电路；半导体芯片之光罩；积体芯片之光罩；半导体计算机芯片；半导体内存芯片 | 查看详情 |
| 27 | 1159787 |  |
MX | 计算机程序编制；计算机软件设计；计算机软件更新；计算机硬件咨询；计算机软件出租 | 查看详情 | |
| 28 | 1163879 |  |
MXIC | 集成电路的加工与装配（代他人）；计算机集成电路块的加工与装配（代他人）；电子集成电路块的加工与装配（代他人） | 查看详情 | |
| 29 | 6910995 |  |
KSMC | 2008-08-21 | 为他人制造及组装集成电路、计算机芯片、电子电路、太阳能蓄电池、发光二极管 | 查看详情 |
| 30 | 3092174 |  |
INTEGRATED SOLUTIONS PROVIDER | 2002-02-07 | 有关屏蔽器机件、集成电路、计算机芯片和电子电路的设计、开发、装配、加工和检测方面的专业技术咨询服务；有关屏蔽器机件、集成电路、计算机芯片和电子电路的技术研究服务；屏蔽器机件的设计与开发(替他人)；集成电路的设计与开发(替他人)；计算机芯片的设计与开发(替他人)；电子电路的设计与开发(替他人) | 查看详情 |
| 31 | 4865318 |  |
RICH AUDIO | 2005-08-29 | 集成电路;半导体芯片掩膜;集成电路芯片掩膜;半导体计算机芯片;半导体存储芯片;快速存储器(闪存);电话;蜂窝式便携电话;因特网电话;带摄像头蜂窝式便携电话; | 查看详情 |
| 32 | 4931695 |  |
MX | 2005-10-08 | 集成电路；半导体计算机芯片；集成电路掩膜；半导体计算机芯片掩膜；半导体存储芯片；存储卡；照相机(摄影)；蜂窝电话；与电视机连用的娱乐器具 | 查看详情 |
| 33 | 6910988 |  |
勤德 | 2008-08-21 | 提供有关太阳能蓄电池的专业技术研究服务；提供有关发光二极管的专业技术研究服务；为他人设计及开发光罩、集成电路、计算机芯片、电子电路、太阳能蓄电池、发光二极管之服务；提供有关光罩的专业技术研究服务；提供有关集成电路的专业技术研究服务；提供有关计算机芯片的专业技术研究服务；提供有关计算机芯片的专业技术研究服务；提供有关电子电路的专业技术研究服务 | 查看详情 |
| 34 | 6910992 |  |
KINGTECH | 2008-08-21 | 为他人制造及组装集成电路、计算机芯片、电子电路、太阳能蓄电池、发光二极管 | 查看详情 |
| 35 | 6910994 |  |
KSMC | 2008-08-21 | 为他人设计及开发光罩、集成电路、计算机芯片、电子电路、太阳能蓄电池、发光二极管之服务；提供有关光罩的专业技术研究服务；提供有关集成电路的专业技术研究服务；提供有关计算机芯片的专业技术研究服务；提供有关电子电路的专业技术研究服务；提供有关太阳能蓄电池的专业技术研究服务；提供有关发光二极管的专业技术研究服务 | 查看详情 |
| 36 | 10774702 |  |
HYBRIDNVM | 2012-04-16 | 集成电路；半导体计算机芯片；半导体记忆芯片；半导体芯片光罩；积体芯片光罩 | 查看详情 |
| 37 | 6910993 |  |
KINGTECH | 2008-08-21 | 太阳能蓄电池;发光二极管; | 查看详情 |
| 38 | 656449 |  |
旺宏;MXIC | 集成电路板 | 查看详情 | |
| 39 | 7790366 |  |
MACRONIX VEE | 2009-10-28 | 计算机软件；计算机硬件；录有计算机程序之光盘、磁盘及数据载体；磁盘及数据载体；计算机记忆卡；电子手册；从英特网下载之书籍、游戏程序；只读存储器；闪存；计算机芯片；半导体芯片 | 查看详情 |
| 40 | 1193970 |  |
MTP | 计算机程序编制，计算机软件设计，计算机软件更新，计算机硬件咨询，计算机软件出租 | 查看详情 | |
| 41 | 1198490 |  |
MTP EPROM | 书籍，说明书，设计图，手册，项目手册，有关计算机设计、开发、制造的印刷出版物，有关计算机外围设备的印刷出版物，有关逻辑电路的印刷出版物，有关电子设备的印刷出版物 | 查看详情 | |
| 42 | 1159788 |  |
旺宏 | 计算机程序编制；计算机软件设计；计算机软件更新；计算机硬件咨询；计算机软件出租 | 查看详情 | |
| 43 | 15279682 |  |
HYBRID FLASH | 2014-09-03 | 晶圆代工服务；晶圆蚀刻处理服务；为他人装配、组合、焊接集成电路、光罩、计算机芯片及电子芯片服务；集成电路蚀刻服务；半导体封装处理服务； | 查看详情 |
| 44 | 1189936 |  |
MTP | 集成电路的加工与装配（代他人）；计算机集成电路块的加工与装配（代他人）；电子集成电路块的加工与装配（代他人） | 查看详情 | |
| 45 | 1197807 |  |
MACRONIX | 计算机程序编制，计算机软件设计，计算机软件更新，计算机硬件咨询，计算机软件出租 | 查看详情 | |
| 46 | 12174748 |  |
HYBRID FLASH | 2013-02-18 | 集成电路；半导体计算机芯片；半导体记忆芯片；半导体芯片光罩；积体芯片光罩 | 查看详情 |
| 47 | 1163881 |  |
MX | 集成电路的加工与装配（代他人）；计算机集成电路块的加工与装配（代他人）；电子集成电路块的加工与装配（代他人） | 查看详情 | |
| 48 | 1180492 |  |
MXIC | 书籍；说明书；设计图；手册；项目手册；有关计算机设计、开发、制造的印刷出版物；有关计算机外围设备的印刷出版物；有关逻辑电路的印刷出版物；有关电子设备的印刷出版物 | 查看详情 | |
| 49 | 3092176 |  |
INTEGRATED SOLUTIONS PROVIDER | 2002-02-07 | 集成电路；半导体芯片用屏蔽器；集成芯片用屏蔽器；半导体计算机芯片；半导体存储器芯片 | 查看详情 |
| 50 | 6910989 |  |
勤德 | 2008-08-21 | 为他人制造及组装集成电路、计算机芯片、电子电路、太阳能蓄电池、发光二极管 | 查看详情 |
旺宏电子股份有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | TW507373 | 具有记忆体阵列之积体电路及选取积体电路记忆胞的方法 | 2002.10.21 | 本发明揭露了一种具有记忆体阵列、共用式的选择电晶体(Shared Select Transistor |
| 2 | TW365684 | 利用隔绝性外环带改良表面护层中SOG可靠性之方法 | 1999.08.01 | 一种利用隔绝性外环带来改良电路元件表面护层(Passivation)中旋涂式玻璃(Spin-On G |
| 3 | TW200733400 | 快闪记忆体的位元线电晶体结构 | 2007.09.01 | 一记忆体阵列包括：一内埋扩散区、将电源供应至内埋扩散区之一第一源极线、将电源供应至内埋扩散区之一第二 |
| 4 | TW534455 | 加热器改良结构 | 2003.05.21 | 本创作为一种加热器改良结构，在半导体清洗制程中，需要以高温的酸及硷去除晶片上的不良粒子，但高温的酸及 |
| 5 | TW200421560 | 利用遮蔽式鸟嘴改善高密度快闪记忆体之穿隧氧化层边缘之电崩溃的方法 | 2004.10.16 | 一种改善高密度快闪记忆体之穿隧氧化层边缘之电崩溃的方法，其系在元件区的边缘形成鸟嘴边衬，以防止后续形 |
| 6 | TW200421558 | 制造氮化矽唯读记忆体的方法 | 2004.10.16 | 一种制造氮化矽唯读记忆体的方法，系于基底上先形成氮化矽堆叠层，再定义氮化矽堆叠层，并暴露出部分基底。 |
| 7 | TW288120 | 固态磁碟机磁区连结处理方法及其指标结构 | 1996.10.11 | 本发明系有关于一种固态磁碟机磁区连结之处理方法及其指标结构，其利用抹除区段远大于磁区大小的快闪记忆体 |
| 8 | TW258346 | 频率产生器之结构改良 | 1995.09.21 | 一种频率产生器之结构改良，主要系于频率产生器积体电路之接脚包装上另设一触发脚，该接脚配合频率产生器之 |
| 9 | TW270594 | 串联电容充电帮浦 | 1996.02.11 | 一种串联电容充电帮浦装置系由第一与第二主动电容器（active capacitor）所构成，其间为一 |
| 10 | TW273062 | 具有多埠独立媒体介面及可混合媒体连接之可扩充积体电路多埠式中继器控制器 | 1996.03.21 | 一种符合 100BASE-T标准之积体电路中继器，设有一个以上与媒体无关介面（MII'S）和若干实际 |
| 11 | TW312392 | 用于合差式编码解码器之可转换两种输入频率为单一频率之时钟产生器 | 1997.08.01 | 本创作系有关一种用于合差式编码解码器之可转换两种输入频率为单一频率之时钟产生器，尤指一种时钟产生器能 |
| 12 | TW315469 | 具有终止程式载入周期协定的浮动闸极记忆体装置 | 1997.09.11 | 一种具有终止程式载入周期协定的快闪式记忆体，可提供正确的载入周期的结束指示，且在控制信号中不须要有长 |
| 13 | TW350955 | 烧录虚拟接地EPROM阵列单元而不干扰相邻单元的装置及方法 | 1999.01.21 | 本发明提供在虚拟接地EPROM阵列单元内烧录选择元而不干扰相邻阵列单元的方法和装置。存入相邻单元之资 |
| 14 | TW404068 | 具有浮动式闸极结构之电容器 | 2000.09.01 | 一种可完全维持固定电容值，且可以简易的方式来调整电容值的电容器，其系藉由一浮动式闸极层来保持一定的饱 |
| 15 | TW428793 | 电浆蚀刻装置之聚焦环 | 2001.04.01 | 一种电浆蚀刻装置之聚焦环，其包括一石英玻璃基座支特一石英玻璃壁，两者藉由一石英玻璃焊接区连接，石英玻 |
| 16 | TW471705 | 旋转式蚀刻机构之改良 | 2002.01.01 | 一种旋转式蚀刻机构之改良，主要系在一旋转载座内再增设一组载具，该载具系利用真空吸附方式与晶圆相结合， |
| 17 | TW477003 | 利用双嵌式沟渠形成自我对准幕罩式唯读记忆体之方法 | 2002.02.21 | 本发明系提供一种利用双嵌式沟渠形成自我对准幕罩式唯读记忆体之方法，其系利用制程上造成闸极区与周围厚度 |
| 18 | TW480662 | 形成双重金属镶嵌结构的方法 | 2002.03.21 | 一种形成双重金属镶嵌结构的方法。此方法系在一基底上依序形成一低介电常数介电层、一蚀刻中止层、另一低介 |
| 19 | TW485571 | 快闪记忆体的结构 | 2002.05.01 | 一种快闪记忆体的结构，此结构包括一电子陷入层、一闸极与一源极/汲极区，其中，电子陷入层系由一第一氧化 |
| 20 | TW486901 | 低功率准位漂动补偿电路 | 2002.05.11 | 一种准位漂动补偿电路，其包含有一缓冲器连接至网路接收器之变压器的第二线圈端，及一等化器连接至缓冲器之 |
| 21 | TW489520 | 形成罩幕式唯读记忆体之晶胞阵列的方法 | 2002.06.01 | 本发明系有关于形成罩幕式唯读记忆体之晶胞阵列的方法，至少包含下列步骤：形成多数闸极结构在底材上；形成 |
| 22 | TW490748 | 快闪记忆体的结构 | 2002.06.11 | 一极快闪记忆体的结构，其结构包括一穿隧氧化层、一浮置闸极、一介电叠层、一控制闸极与一源极/汲极区，其 |
| 23 | TW499735 | 一种具有埋藏多晶矽位元线之唯读记忆体 | 2002.08.21 | 本发明系提供一种高速(high-speed)唯读记忆体。该唯读记忆体包含有一矽基底，且该矽基底表面至 |
| 24 | TW519743 | 形成金属矽化物的方法 | 2003.02.01 | 形成金属矽化物的方法。首先提供表面为起伏不平半导体结构覆盖之底材，然后形成矽层在半导体结构上，在此矽 |
| 25 | TW519756 | 非挥发性记忆体之结构及其制造方法 | 2003.02.01 | 一种非挥发性记忆体之制造方法，此方法系先于基底中形成面掺杂区后，于基底上形成一层罩幕层与一层图案化之 |
| 26 | TW519715 | 罩幕式唯读记忆体之测试元件及方法 | 2003.02.01 | 一种罩幕式唯读记忆体之测试元件及方法，用以找出罩幕式唯读记忆体之阵列漏电途径。此测试元件包括配置在一 |
| 27 | TW548715 | 增进晶圆清洗效率与改善制程良率的方法 | 2003.08.21 | 一种增进晶圆清洗效率与改善制程良率的方法，其中增进晶圆清洗效率之方法系首先在一测试晶圆上沈积数种制程 |
| 28 | TW200308063 | 一种系统整合晶片的制作方法 | 2003.12.16 | 先于基底表面定义出各主动区域，接着于该基底表面形成一ONO结构层，并进行一黄光及离子布植制程于记忆体 |
| 29 | TW573343 | 罩幕式唯读记忆体的制造方法及其结构 | 2004.01.21 | 一种罩幕式唯读记忆体的制造方法，此方法系于一基底上依序形成闸极介电层与条状的复数第一导体层，再于基底 |
| 30 | TW200403682 | 具有多阶输出电流之非挥发性记忆体的程式化、读取与抹除方法 | 2004.03.01 | 本发明系提供一种具有多阶输出电流之非挥发性记忆体的程式化、读取与抹除方法。该非挥发性记忆体内之各记忆 |
| 31 | TW587290 | 晶圆清洗装置 | 2004.05.11 | 一种晶圆清洗装置，其至少包含一旋转台面用以支撑晶片，及一旋转装置用以带动该旋转台，一可移动或固定之曲 |
| 32 | TW200408437 | 废气处理装置 | 2004.06.01 | 一种废气处理装置。该废气处理装置包括有一填充式洗涤塔、一进气管、一超音波二相流喷雾加湿器以及一排气管 |
| 33 | TW591460 | 整合与自动化作业之方法及系统 | 2004.06.11 | 一种整合与自动化作业之方法及系统。此整合与自动化作业之系统利用人机介面以选择/输入预设值，而整体伺服 |
| 34 | TW200412644 | 浅沟渠隔离结构之制造方法 | 2004.07.16 | 一种浅沟渠隔离结构之制造方法，此方法系提供一基底，并于基底上已依序形成有垫氧化层、罩幕层与第一沟渠， |
| 35 | TW200415758 | 具有二多晶矽层之嵌入式非挥发性记忆体的制造方法 | 2004.08.16 | 一种使用二多晶矽层以制造例如是罩幕式唯读记忆体(maskROM)或SONOS记忆体(SONOSmem |
| 36 | TW200504956 | 晶片封装结构 | 2005.02.01 | 本发明系揭露一种晶片封装结构，其采用一导线架晶片支撑座黏着于一晶片之作用面，其中晶片支撑座的面积小于 |
| 37 | TW200515492 | 源极/汲极区的制造方法 | 2005.05.01 | 一种源极／汲极区的制造方法，此方法系于基底上形成图案化之第一材料层，以暴露预定形成源极／汲极区之处的 |
| 38 | TW200525680 | 物理气相沈积制程及其设备 | 2005.08.01 | 一种物理气相沈积设备，此物理气相沈积设备系由反应室、晶圆承载基座与晶圆固定环所构成。其中晶圆承载基座 |
| 39 | TW200527621 | 多晶片封装结构 | 2005.08.16 | 一种多晶片封装结构，包括数个晶片、一导线架及数个导电材料。晶片之表面具有数个焊垫，晶片通孔系贯穿焊垫 |
| 40 | TW200529234 | 控制氮化物唯读记忆胞之启始电压的方法 | 2005.09.01 | 一种具有单侧读取之双侧程式化的方法，此方法提供具有不同储存电荷量的氮化矽唯读记忆胞，并利用双位元间不 |
| 41 | TW200534476 | 整合的程式及资料快闪记忆体 | 2005.10.16 | 一种用于积体电路的记忆体架构，包括了用来在资料处理的其中一种模式时储存资料之第一记忆体阵列，以及在资 |
| 42 | TWI244141 | 降低半导体元件中二矽化钴层的电阻値之方法 | 2005.11.21 | 本发明揭露一种降低半导体元件中二矽化钴层的电阻值之制造方法。首先，形成一金属钴层(cobalt la |
| 43 | TW200540990 | 紫外线阻绝层 | 2005.12.16 | 一种有关于从半导体中阻绝紫外线电磁辐射的方法与装置，紫外线电磁辐射，例如由电浆制程所产生的紫外线辐射 |
| 44 | TWI251272 | 局部形成自对准金属矽化物之方法 | 2006.03.11 | 本发明系为一种形成自对准金属矽化物(salicide)之方法，特别是有关于一种在部分区域形成自对准金 |
| 45 | TW200612660 | 电力开启重置信号产生电路及方法 | 2006.04.16 | 一种电力开启重置信号产生电路及方法，该电力开启重置信号具有一前导部分与一尾随部分。该电路包含一个产生 |
| 46 | TWI253720 | 非挥发性记忆体的制造方法及其阵列 | 2006.04.21 | 一种非挥发性记忆体的制造方法，系先于基底上依序形成第一介电层与虚拟闸极层。然后，定义虚拟闸极层以形成 |
| 47 | TW200713599 | 增加一氮化物唯读记忆体阵列的抹除均匀性之结构及方法 | 2007.04.01 | 一种非挥发性的记忆体结构，包括虚拟接地(virtual ground)的氮化物唯读记忆体(Nitri |
| 48 | TW200713327 | 同时程式化与程式化验证之非挥发记忆体 | 2007.04.01 | 本发明描述一种页面模式程式化序列，包含第一及第二偏压施加循环。在第一循环，一程式化偏压施加于此组记忆 |
| 49 | TWI264796 | 氮化钛层的制造方法 | 2006.10.21 | 一种氮化钛层的制造方法，系在温度不同之反应室中分别进行MOCVD氮化钛层之沉积以及对氮化钛层之含氮电 |
| 50 | TWI267175 | 多晶片封装结构 | 2006.11.21 | 一种多晶片封装结构，包括数个晶片、一导线架及数个导电材料。晶片之表面具有数个焊垫，晶片通孔系贯穿焊垫 |
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